英飞凌(Infineon)是全球领先的半导体科技公司，致力于打造一个更加便利、安全和环保的世界。我们提供全面的半导体解决方案，实现高效的能源管理、智能出行以及安全、无缝通信，连接现实与数字世界。   

•         2022财年营收：超过140亿欧元

•         全球员工人数约为56,200人（截至2022年9月）

•         英飞凌的业务遍及全球，在全球共有56家研发机构和20家生产工厂。

•         赛普拉斯(Cypress)于2019年6月被英飞凌斥资90亿欧元(约合101亿美元)收购，2020年正式并入英飞凌科技公司。

F-RAM产品介绍

高可靠性，低功耗数据记录存储器

F-RAM(铁电随机存取存储器或FeRAM)是一种独立的非易失性存储器，使您能够在电源中断时立即捕获和保存关键数据。它们是关键任务数据记录应用的理想选择，如需要高可靠性控制和吞吐量的高性能可编程逻辑控制器(PLC)，或提高患者生活质量的监测设备。f - ram采用低功率、占地面积小的设计，在不影响速度或能源效率的情况下，提供即时的非波动性和几乎无限的续航能力。

密度:4Kb、16Kb、64Kb、128Kb、256Kb、512Kb、1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb

接口:I2C, SPI, QSPI，并口(x8, x16)

关键特性

-NoDelay™写入-以总线速度写入数据到内存单元，没有浸泡时间

-高耐力-超过浮动门内存超过100万亿写入周期

-超低功耗-比eeprom少消耗200倍的能量，比NOR闪存少3000倍的能量

-耐辐射-对由可能产生位翻转的辐射引起的软错误免疫

F-RAM家庭

英飞凌提供全面的串行和并行F-RAM非易失性存储器组合。我们的标准F-RAM的密度范围从4kbit到4Mbit。Excelon™是英飞凌的下一代FRAM存储器。Excelon™F-RAM提供了业界最低功耗的非易失性存储器，通过将超低功耗操作与高速接口、即时非易失性和无限读/写周期耐力相结合，使其成为便携式医疗、可穿戴设备、物联网传感器、工业和汽车应用的理想数据记录存储器。它们的密度从2mbit到16mbit不等，除了1.8V到3.6V宽电压范围外，还支持1.71V到1.89V的工作电压范围。

F-RAM技术和优点

F-RAM存储器基于铁电技术。F-RAM芯片包含一层锆钛酸铅铁电薄膜，通常称为PZT。PZT中的原子在电场中改变极性，从而产生功率高效的二进制开关。然而，PZT最重要的方面是它不受电源中断的影响，使F-RAM成为可靠的非易失性存储器。F-RAM的底层工作原理及其独特的存储单元架构赋予了该技术与EEPROM或NOR闪存等竞争内存技术不同的特定优势。

F-RAM与竞争的非易失性存储器解决方案

F-RAM产品是业界最低功率的非易失性存储解决方案之一，与竞争对手EEPROM和MRAM解决方案相比，消耗的有源电流要小得多。这使得FRAM适用于电池驱动的设备，如可穿戴设备和医疗植入物。几乎无限的续航能力和瞬间的非易失性确保了FRAM在多个数据记录应用程序中优于现有的EEPROM和NOR Flash等存储器。

Infineon FRAM产品选型：F-RAM (Ferroelectric RAM) - Infineon Technologies

Infineon FRAM产品官网：Memories - Infineon Technologies