富士通是日本排名第一的IT厂商，全球第四大IT服务公司，全球前五大服务器和PC机生产商，曾经是世界第二大企业用硬盘驱动器的制造商（硬盘业务于2009年第一季度转移到东芝公司旗下）和第四大移动硬盘制造商，是世界财富500强企业。富士通拥有32,000个产品专利技术，名列美国2005年拥有专利最多的前十位。在Dow Jones Sustainability Indexes 和 FTSE4 Good Index Series指数中表现卓著，2008年富士通连续第十次在道琼斯 Sustainability Indexs 股指中表现卓越。2013年富士通被美国《财富》杂志评为世界“最受尊敬企业”。
富士通半导体存储器解决方案有限公司(FSM)隶属于富士通器件方案事业部大规模集成电路部门，主要开发销售系统存储和解决方案，包含FeRAM（FRAM），电阻RAM（ReRAM），碳纳米管的非易失RAM（NRAM）。其中FeRAM分车规级、工业级，常用于汽车，仪表，无电池应用，RFID等场景。
电源关闭时存储的数据不会消失
下电时不需要备用电池来保留数据
启用无需擦除操作即可覆盖数据
无需等待时间进行擦除/写入操作
保证10万亿 (1013) 读/写周期
是EEPROM读写耐久性的1000万倍
没有用于写操作的升压电路
比EEPROM减少92％的写入功耗
没有为保持数据而需要的数据保持电流
如果您的产品正在使用EEPROM或SRAM，并有下列其中一的任何问题，请考虑使用我们的FeRAM作为您的解决方案。请参考下面显示的FeRAM与其他存储器之间的比较。
| FeRAM | EEPROM | FLASH | SRAM | |
|---|---|---|---|---|
| 记忆类型 | 非易失性 | 非易失性 | 非易失性 | 易失性 |
| 数据写入方法 | 覆盖式写入 | 擦除+写入 | 擦除+写入 | 覆盖式写入 |
| 数据写入周期时间 | 120ns | 5ms | 10µs | 55ns |
| 读写耐久性 | 100万亿次 | 100万次 | 10万次 | 无限次 |
| 电荷泵 (升压) 电路 | 无需 | 需要 | 需要 | 无需 |
| 数据保护后备电池 | 无需 | 无需 | 无需 | 需要 |
与传统的非易失性存储器 (如EEPROM和闪存) 相比，FeRAM具有更快的写入速度，更高的耐久性和更低的功耗等优点。采用FeRAM代替EEPROM和闪存具有以下优势。
由于快速的写入速度，即使在突然停电的情况下，FeRAM可以保存写入数据。不仅如此，FeRAM可记录数据比EEPROM和闪存更频繁。写入数据时，EEPROM和闪存需要高电压，从而比FeRAM消耗更多的功率。因此，通过使用FeRAM，在电池供电的小型设备中的电池寿命可以延长。
总之，FeRAM是;
在突然停电时FeRAM可以保存写入数据
可以进行频繁的数据记录
可以延长电池供电设备的电池寿命
在工厂中将参数写入每个产品的情况下，由于FeRAM与EEPROM和闪存相比可以缩短写入时间，因此FeRAM可以有助于降低制造成本。此外，FeRAM可以为您提供单一芯片解决方案，从而代替多芯片解决方案，例如，由EEPROM + Flash组成的两个芯片方案，或由EEPROM + SRAM +电池组成的三个器件方案。
缩短在每个产品中写入参数的总时间
减少最终产品中使用的元器件数量
具有并行接口的FeRAM与电池备用SRAM兼容，可以替代SRAM。通过用FeRAM代替SRAM，客户可以期望以下优势。
使用SRAM的系统需要持续检查电池状态。如果用FeRAM替换后，客户可以从维护电池检查的负担中解放出来。此外，FeRAM不需要电池插座和防回流二极管，同时省去二者的安装空间。
FeRAM的单一芯片解决方案可以减少空间和成本。
免维护：无需更换电池
设备小型化：可以减少最终产品的元器件数量
废旧电池会成为工业废料。通过用FeRAM替换SRAM +电池，可以减少备用电池。
减少电池处理
微信二维码