CY15B108QI、CY15V108QI Excelon™-LP 8 Mbit (1024K × 8)串行(SPI) F-RAM
功能描述
Excelon-LP CY15X108QI是采用了高级铁电工艺的低功耗8 Mbit非易失性存储器。铁电性随机存取存储器 (即 F-RAM)是一种非易失性存储器,它跟 RAM 一样,能够执行读和写操作。它提供 151 年的可靠数据保留时间,并解决了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。与串行闪存和 EEPROM 不同的是,CY15X108QI 以总线速度执行写操作。并且不引起写操作的延迟。在每个字节成功传输到器件后,数据立即被写入到存储器阵列内。这时,可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品提供了更多的写入耐久性。CY15X108QI 能够提供1014 次的读 / 写周期,或支持比 EEPROM 多 1 亿次的写周期。由于具有这些特性,因此 CY15X108QI 非常适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集(其中写周期数量是非常重要的)到满足工业控制 (其中串行闪存或 EEPROM 的较长写时间会使数据丢失)。作为直接替代硬件,CY15X108QI 为串行 EEPROM 或 Flash 的用户提供极大好处。CY15X108QI 使用高速的 SPI 总线,从而可以改进 F-RAM 技术的高速写入能力。该器件包含一个只读的器件 ID 和唯一 ID 特性,通过它们,主机可以确定器件的制造商、产品容量、产品版本和唯一 ID。该器件还提供可写的 8 字节序列号的寄存器,这些寄存器可用于识别特定电路板或系统。
性能
■ 8 Mbit 铁电随机存取存储器(F-RAM)被逻辑组织为 1024K × 8
❐ 提供了一百万亿次(1014)的读 / 写周期,几乎为无限次数的耐久性。
❐ 151 年数据保留时间 (见第 19 页上的数据保留时间与耐久性)
❐ NoDelay™ 写操作
❐ 高级高可靠性的铁电工艺
■ 快速串行外设接口 (SPI)
❐ 工作频率高达 20 MHz
❐ 支持 SPI 模式 0 (0,0)和模式 3 (1,1)
■ 精密的写入保护方案
❐ 使用写保护 (WP)引脚提供硬件保护
❐ 使用写禁用 (WRDI)指令提供软件保护
❐ 可对 1/4、 1/2 或整个阵列进行软件模块保护
■ 器件 ID 和序列号
❐ 制造商 ID 和产品 ID
❐ 器件的唯一 ID
❐ 序列号
■ 专用 256 字节特殊扇区 F-RAM
❐ 专用特殊扇区写和读操作
❐ 存储的内容可以在最多 3 个标准回流焊周期内保持不变
■ 低功耗
❐ 频率为 20 MHz 时,有效电流为 1.3 mA (典型值)
❐ 待机电流为 3.0 A (典型值)
❐ 深度掉电模式电流为 0.90 A (典型值)
❐ 休眠模式电流为 0.1 A (典型值)
❐ 上电时,电涌为 1.6 mA (典型值)
■ 低电压操作
❐ CY15V108QI:VDD = 1.71 V 到 1.89 V
❐ CY15B108QI:VDD = 1.8 V 到 3.6 V
■ 商业级和工业级工作温度
❐ 商业级工作温度:0 °C 到 +70 °C
❐ 工业工作温度范围:–40 °C 至 +85 °C
■ 8 pin 网格阵列四方扁平无引线 (GQFN)封装
■ 符合有害物质限制标准 (RoHS)